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2016年5月
奧趨光電成功制備出高質(zhì)量3英寸氮化鋁單晶晶體及3英寸襯底樣片
奧趨光電發(fā)布了直徑2英寸及以下尺寸高質(zhì)量AlN單晶襯底產(chǎn)品，啟動小批量制造出貨
奧趨光電發(fā)布了5G射頻濾波芯片的新一代高端壓電材料——硅基/藍(lán)寶石基鋁鈧氮薄膜模板產(chǎn)品
奧趨光電正式發(fā)布了面向5G射頻前端濾波器應(yīng)用的4英寸/6英寸硅基氮化鋁薄膜模板產(chǎn)品
奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司正式入駐位于杭州市余杭經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)的公司總部
奧趨光電發(fā)布了2英寸/4英寸AlN模板量產(chǎn)計(jì)劃，規(guī)劃2020年實(shí)現(xiàn)不少于20萬片2英寸/4英寸氮化鋁模板總產(chǎn)能，是全球首家具備2英寸/4英寸AlN模板大規(guī)模制造能力的企業(yè)
奧趨光電發(fā)布2英寸/4英寸高質(zhì)量氮化鋁模板，并與領(lǐng)先的5G無線通信、紫外芯片及紫外探測器等領(lǐng)域的合作伙伴開始小批量AlN模板產(chǎn)品的流片測試
奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司完成了對蘇州奧趨光電技術(shù)有限公司的全資收購
奧趨光電應(yīng)諾貝爾物理獎獲得者天野浩教授為會議主席的組委會邀請，在日本橫濱舉行的LED工業(yè)應(yīng)用國際會議（LEDIA-2019）上，正式宣布正式推出了全球首批60mm AlN單晶及晶圓產(chǎn)品樣片，標(biāo)志著第三/四代半導(dǎo)體氮化鋁單晶技術(shù)在全球范圍內(nèi)取得了突破性進(jìn)展，為氮化鋁單晶襯底材料在世界范圍內(nèi)的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化奠定了基礎(chǔ)
奧趨光電項(xiàng)目順利完成A輪融資
成立奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司，選址杭州市余杭經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，成立產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)基地，并在余杭區(qū)召開的打造國際一流營商環(huán)境，建設(shè)全國數(shù)字經(jīng)濟(jì)先行區(qū)動員大會上，作為重點(diǎn)項(xiàng)目與區(qū)政府舉行了簽約儀式
基于自主設(shè)計(jì)開發(fā)的第二代全自動氮化鋁單晶氣相沉積爐，奧趨光電成功研發(fā)出全球首批直徑60mm的高質(zhì)量氮化鋁單晶，并在全球紫外材料與器件國際會議（IWUMD2018）上展示了世界首批60mm AlN晶片樣片，引發(fā)了業(yè)內(nèi)的廣泛關(guān)注。 同月，奧趨光電啟動了公司的A輪融資
奧趨光電研發(fā)團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)出具備完整的知識產(chǎn)權(quán)的第二代全自動氮化鋁單晶氣相沉積爐，這也是中國首臺具備4英寸氮化鋁單晶生長能力，且能實(shí)現(xiàn)全自動、產(chǎn)業(yè)化批量生產(chǎn)基礎(chǔ)的高端裝備
奧趨光電完成Pre-A輪融資
研發(fā)團(tuán)隊(duì)利用自主開發(fā)設(shè)計(jì)的氮化鋁單晶生長全自動化裝備及系列技術(shù)水平領(lǐng)先的獨(dú)有專利技術(shù)，首次成功制得高質(zhì)量氮化鋁晶體
奧趨光電研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過自主設(shè)計(jì)，成功開發(fā)出具備完整知識產(chǎn)權(quán)的第一代PVT法全自動氮化鋁單晶氣相沉積爐； 奧趨光電完成天使輪融資
蘇州奧趨光電技術(shù)有限公司成立并在張家港國家級高新技術(shù)開發(fā)區(qū)/留學(xué)生創(chuàng)業(yè)園設(shè)立了研發(fā)中心