6月25-26日，“十四五”國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項2024年度第三代半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)方向19個項目中期檢查會議在杭州光學(xué)精密機械研究所召開。奧趨光電作為“AlN單晶襯底制備和同質(zhì)外延關(guān)鍵技術(shù)”項目（編號2022YFB3605300，項目負責(zé)人北京大學(xué)于彤軍教授）的子課題牽頭單位出席會議。
“AlN單晶襯底制備和同質(zhì)外延關(guān)鍵技術(shù)”項目負責(zé)人于彤軍教授（左三）及各子課題負責(zé)人合影
本次中期檢查會議由國家自然科學(xué)基金委員會高技術(shù)研究發(fā)展中心召集，“AlN單晶襯底制備和同質(zhì)外延關(guān)鍵技術(shù)”等19個項目的負責(zé)人、子課題負責(zé)人和骨干成員參會，北京大學(xué)沈波教授、中科院蘇州納米所徐科研究員、中科院長春光機所黎大兵研究員、浙江大學(xué)盛況教授、上海飛博激光科技有限公司董事長廖新勝、中科院半導(dǎo)體所薛春來研究員、中科院上海光機所張龍研究員等組成專家組，國家自然科學(xué)基金委員會高技術(shù)研究發(fā)展中心材料處、浙江省科技廳、杭州市科技局以及上海/杭州光學(xué)精密機械研究所相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)出席會議。
于彤軍教授做“AlN單晶襯底制備和同質(zhì)外延關(guān)鍵技術(shù)”項目中期檢查匯報
會議通過專家組審閱項目中期執(zhí)行情況報告和相關(guān)支撐證明材料、聽取各項目課題負責(zé)人中期檢查匯報、質(zhì)詢和研討等環(huán)節(jié)，對照項目任務(wù)書逐項評審了研究內(nèi)容、年度計劃、考核指標的完成情況，以及后半階段的工作計劃、差距和保障驗收的具體措施。包括對項目任務(wù)書規(guī)定內(nèi)容的完成情況、技術(shù)方向和技術(shù)路線的合理性、實施進度與計劃的一致性、取得的重要進展及成果、成員投入的時間及精力情況、資金撥付與使用情況、項目配套支撐條件落實情況、一體化組織實施及管理運行情況以及實施中的突出問題等進行了嚴格審查與評價，分析了存在的問題或隱患，提出了改進建議，并形成了中期檢查意見。
關(guān)于“AlN單晶襯底制備和同質(zhì)外延關(guān)鍵技術(shù)”國家重點研發(fā)計劃重點專項
國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項——“AlN單晶襯底制備和同質(zhì)外延關(guān)鍵技術(shù)（2022YFB3605300）”，于2022年11月獲得國家科技部正式立項。本項目以北京大學(xué)為牽頭單位，聯(lián)合奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司、中國電子科技集團公司第四十六研究所、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國科學(xué)院物理研究所、北京中材人工晶體研究院有限公司、深圳大學(xué)、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、蘇州紫燦科技有限公司等9家單位，面向高功率密度器件對AlN襯底和同質(zhì)外延生長技術(shù)的需求，開展大尺寸、高質(zhì)量AlN 單晶襯底和模板材料生長技術(shù)及同質(zhì)外延技術(shù)研究。
奧趨光電作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導(dǎo)體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)先技術(shù)企業(yè)之一，擔(dān)任子課題牽頭單位，與北京中材人工晶體研究院共同承擔(dān)相關(guān)子課題任務(wù)。該重點專項的立項及實施，對促進我國AlN單晶材料自主可控及其在高功率/高壓/高頻/高溫電力電子器件、射頻通信器件、深紫外光電子器件等諸多領(lǐng)域的商業(yè)化發(fā)展及國防軍工領(lǐng)域的關(guān)鍵應(yīng)用具有重大意義。
關(guān)于奧趨光電
奧趨光電是由海歸博士團隊、半導(dǎo)體領(lǐng)域頂尖技術(shù)專家領(lǐng)銜，于2016年5月創(chuàng)立的高新技術(shù)、創(chuàng)新型企業(yè)，總部位于浙江省杭州市。奧趨光電核心專注于第三代/第四代超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁晶圓襯底材料、藍寶石基/硅基/碳化硅基氮化鋁/氮化鋁鈧薄膜模板、全自動氮化鋁PVT氣相沉積爐及其相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、制造與銷售，核心產(chǎn)品被列入《中國制造2025》關(guān)鍵戰(zhàn)略新材料與裝備目錄，是制備深紫外LED芯片、5G射頻前端濾波器、MEMS壓電傳感器等各類紫外發(fā)光器件、高溫/高頻射頻器件、高頻/高功率電子及激光器件的理想襯底/壓電材料。
奧趨光電經(jīng)過多年的高強度研發(fā)投入，于2019年成功開發(fā)出全球最大，直徑60mm的氮化鋁單晶及晶圓，并于2022年開發(fā)出直徑達76mm的鋁極性氮化鋁單晶及3英寸晶圓樣片，奧趨光電同時也是全球首家藍寶石基氮化鋁薄膜模板大批量制造商。目前可向客戶提供2英寸及以下尺寸高質(zhì)量氮化鋁單晶襯底、2/4/6英寸藍寶石基/硅基/碳化硅基氮化鋁、氮化鋁鈧薄膜模板、氮化鋁單晶氣相沉積爐及熱處理設(shè)備等產(chǎn)品，同時向客戶及合作伙伴提供從設(shè)備設(shè)計、熱場設(shè)計、熱場模擬仿真技術(shù)開發(fā)、咨詢及生長工藝優(yōu)化到晶圓制程等全環(huán)節(jié)的完整工藝解決方案與專業(yè)技術(shù)服務(wù)。截止2024年6月，共申請/授權(quán)國際、國內(nèi)專利60余項，是全球范圍內(nèi)本領(lǐng)域?qū)＠麛?shù)量最多的企業(yè)之一，被公認為本領(lǐng)域全球技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。