英文標題：
Crystal IS and Asahi Kasei have achieved 99% usable area on 100 mm bulk aluminum nitride substrate
原文鏈接：
https://www.cisuvc.com/crystal-is-improves-100mm-substrate/
Crystal IS，一家旭化成公司，今天宣布成功實現(xiàn)了直徑為100 mm的單晶氮化鋁（AlN）襯底的批量生產(chǎn)，這些襯底的可用面積達到99%，以滿足當前UVC LED的需求，生產(chǎn)將在美國進行。AlN的超寬帶隙和高熱導率不僅有助于提高UVC LED器件的可靠性和性能，還有助于提高下一代射頻和功率器件的性能。
“在過去九個月里，我們大直徑襯底質(zhì)量的提升展示了我們在晶體生長方面團隊的專業(yè)知識，”Crystal IS總裁兼首席執(zhí)行官Eoin Connolly說。“AlN固有的熱優(yōu)勢可以在關(guān)鍵任務和電信應用中實現(xiàn)更高性能的射頻和功率器件——我們很高興與合作伙伴進一步開發(fā)這種材料以滿足他們的需求。”
這一成就緊隨公司于2023年8月宣布首次實現(xiàn)直徑100 mm的AlN單晶消息，該成果在2024年年度半導體獎中贏得了半導體電子材料類別的最高獎項。該年度半導體獎由電子器件行業(yè)資訊組織，該行業(yè)雜志由東京產(chǎn)業(yè)時報公司出版。
Crystal IS在其位于紐約Green Island的總部生產(chǎn)大單晶AlN襯底，并于2023年末開始對外銷售直徑為2英寸的襯底，用于射頻和功率器件的研究與開發(fā)（譯者注：1）Crystal IS為化工巨頭旭化成全資子公司，此前Crystal IS所有生產(chǎn)的AlN單晶襯底僅在旭化成內(nèi)部使用，不對外銷售。2）由于瓦森納協(xié)議，美國至2011年開始任意尺寸AlN單晶對中國實施禁運，此次對外銷售仍對中國實施禁運）。這一100 mm直徑的里程碑進展加速了AlN襯底新應用的開發(fā)，因為它可以集成到現(xiàn)有射頻和功率器件生產(chǎn)線中。該公司計劃今年向其關(guān)鍵合作伙伴提供100 mm直徑的襯底，這些襯底將專門在美國工廠生產(chǎn)，并繼續(xù)擴展UVC LED以外的業(yè)務，如射頻和功率器件。
原文源于【Crystal IS 官網(wǎng)】
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