2024年8月21日至23日，第四屆紫外LED會議暨長治LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會將在山西長治濱湖文旅服務中心舉辦。本屆會議以“創(chuàng)新發(fā)展跨界共生，成果轉(zhuǎn)化生態(tài)構(gòu)建”為主題，邀請了來自紫外LED全產(chǎn)業(yè)鏈、多領(lǐng)域...
7月9日，第十八屆全國MOCVD學術(shù)會議在湖北恩施華龍城大酒店圓滿落幕。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企...
第十八屆全國MOCVD學術(shù)會議于今日在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企業(yè)亮...
2024年7月7-10日，由中國科學技術(shù)大學主辦的第十八屆全國MOCVD學術(shù)會議將在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單...
6月25-26日，“十四五”國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項2024年度第三代半導體材料與器件技術(shù)方向19個項目中期檢查會議在杭州光學精密機械研究所召開。奧趨光電作為“AlN單晶襯...
2024年8月21日至23日，第四屆紫外LED會議暨長治LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會將在山西長治濱湖文旅服務中心舉辦。本屆會議以“創(chuàng)新發(fā)展跨界共生，成果轉(zhuǎn)化生態(tài)構(gòu)建”為主題，邀請了來自紫外LED全產(chǎn)業(yè)鏈、多領(lǐng)域的專家、知名企業(yè)代表組成的百人嘉賓團，將共同探討“紫外LED+”新機遇，挖掘紫外...
7月9日，第十八屆全國MOCVD學術(shù)會議在湖北恩施華龍城大酒店圓滿落幕。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企業(yè)亮相本屆大會，現(xiàn)場設(shè)展向與會嘉賓匯報展示了面向紫外光電器件、功率電子器件、微波...
第十八屆全國MOCVD學術(shù)會議于今日在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企業(yè)亮相本屆大會，向與會嘉賓匯報展示面向紫外光電器件、功率電子器件、微波射頻器件等應用...
2024年7月7-10日，由中國科學技術(shù)大學主辦的第十八屆全國MOCVD學術(shù)會議將在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企業(yè)，受組委會邀請將出席本次會議并發(fā)表主...
6月25-26日，“十四五”國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項2024年度第三代半導體材料與器件技術(shù)方向19個項目中期檢查會議在杭州光學精密機械研究所召開。奧趨光電作為“AlN單晶襯底制備和同質(zhì)外延關(guān)鍵技術(shù)”項目（編號2022YFB3605300，項目負責人北京...
2024年7月2日至4日，2024第三屆射頻濾波器創(chuàng)新技術(shù)大會將在安徽合肥召開。本次大會以“寬帶·共存”為主題，邀請了射頻濾波材料、器件、芯片及相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的資深專家學者、頭部企業(yè)代表共聚一堂，圍繞5G、6G和Wi-Fi 7等高頻、大帶寬濾波器技術(shù)，共同探討關(guān)鍵基礎(chǔ)材料、器件設(shè)計、...
GaN的寬帶隙特性和高飽和速度對于提升射頻（RF）晶體管的輸出功率密度（Pout）至關(guān)重要，這使得雷達和通信系統(tǒng)的覆蓋范圍得以增加。然而，目前GaN高電子遷移率晶體管（HEMTs）的輸出功率密度進一步提高受到熱限制，主要因為在器件溝道層運行時產(chǎn)生過多無效的熱量。
使用這些晶圓制備的首批晶體管已經(jīng)顯示出極具前景的電氣性能，例如高達2200 V的擊穿電壓和優(yōu)于SiC基/GaN基的功率開關(guān)器件的功率密度。與現(xiàn)有的硅器件相比，在AlN晶圓上成功制備出的AlN/GaN HEMTs，其傳導損耗比硅低三千倍，效率比SiC基晶體管大約高出十倍。這些研究突...
為了提高量子阱高電子遷移率晶體管（QW HEMTs）中的電子遷移率，我們研究了在Al極性單晶AlN襯底上的AlN/GaN/AlN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的輸運特性。理論建模與實驗相結(jié)合表明，量子阱中高電場引起的界面粗糙度散射限制了遷移率。將量子阱寬度增加到其松弛形態(tài)可以減小內(nèi)部電場和散射，從而...
本文展示了采用等離子輔助分子束外延（PAMBE）技術(shù)實現(xiàn)了N極性AlN單晶襯底上同質(zhì)外延生長AlN薄膜中的可控Si摻雜。通過優(yōu)化生長條件，我們在950℃下獲得了高質(zhì)量的N極性AlN薄膜。然而，我們的研究揭示，在這樣的高溫生長環(huán)境下，Si的摻入量會顯著降低。為了實現(xiàn)更高的Si摻入量...
在過去的十年中，半導體領(lǐng)域最大的新聞之一就是傳統(tǒng)硅的意外被超越——在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）已經(jīng)超越了硅，占據(jù)了數(shù)十億美元的市場份額。隨著這些具有優(yōu)越性能的新秀逐漸占據(jù)主要應用領(lǐng)域，人們自然會提出一個問題：下一代新的功率半導體會是什么——哪一種半導體將憑借...
Crystal IS，一家旭化成公司，今天宣布成功實現(xiàn)了直徑為100 mm的單晶氮化鋁（AlN）襯底的批量生產(chǎn)，這些襯底的可用面積達到99%，以滿足當前UVC LED的需求，生產(chǎn)將在美國進行。AlN的超寬帶隙和高熱導率不僅有助于提高UVC LED器件的可靠性和性能，還有助于提高下...
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